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| 发布时间：2014-09-01 信息来源：天晟电子 浏览次数：4192 |
电磁兼容单位换算
分贝数与功率
dB = 10 log [P2/P1]
分贝数与电压
dB = 20 log [V1/V2]
分贝数与电流
dB = 20 log [I1/I2]
分贝数与毫瓦
dBm = 10 log [Signal (mW)/1mW]
毫伏与分贝数
dBμv = 20 log [Signal (μV)/1μV]
分贝数与毫安
dBμA = 20 log [Signal (μA)/1μA]
dBw 与 dBm
dBm = dBw + 30
dBv 与 dBμv
dBμv = dBv + 120
dBμv 与dBm
dBm = dBμv - 107
换算如下:
* RF 系统阻抗为50Ω
P = V2 / R
10Log10[P] = 20Log10[V] - 10Log10[50Ω]
V = (PR)0.5 = 0.223 V = 223000 μV
对于50Ω电阻以及1 mW 功率
20Log10[223000μV] = 107 dB
dBμΑ 与 dBm
dBm = dBμA - 73
换算如下:
* RF 系统阻抗为50Ω
P = I2 * R
10Log10[P] = 20Log10[I] + 10Log10[50Ω]
P = 1mW = 10-3W
对于50Ω电阻以及1 mW 功率
-30 = 20Log10[I] + 17
20Log10[I] = 73 dB
功率密度
dBw/M2 = 10Log10[V/M - A/M]
dBm/M2 = dBw/M2 + 30
常量 30 是1000 按下式换算后的对数值：
10Log10[1000] = 30
电场与功率密度
dBm/M2 = dBμV/M - 115.8
115.8 计算如下：
P=|E|2/Ζo
Ζo 是自由空间特性阻抗，等于 120π。
将等式两边取对数 ，将 dBW/M2 转换成 dBmW/M2 将 dBV/M 转换成dBμV/M.
则可得115.8
电场电压
V/M = 10{[(dBμV/M) -120]/20}
Electric Field Current
dBμA/M = dBμv/M - 51.5
51.5 是自由空间特性阻抗120π的dΒ值: 20Log10[120π] = 51.5
A/M = 10{[(dBμA/M) -120]/20}
天线因子
AFdB = EdB - VrdB
这里:
AF = 天线因子dB/M
E = 电场强度dBμv/M
Vr = 天线输出电压dBμv
AF (对于50 Ω) = 20 log f (MHz) - G(dBi) - 29.78 dB.
这里 f 是频率，G 是天线全向增益（dBi）.
(E) dBμv/M = (Vo) dBμv + (AF) dB/M
AF 是天线因子。
E 是电场强度。
Vo 频谱仪的校准输出。
磁通量密度
dBpT = dBμA/M + 2.0
常量计算如下：
磁通密度 B（T）等于磁场强度H（A/m）除以磁导率μ(H/m)。
对于自由空间，μ0=4π×10-7H/m
将T 转换成 pT 将A/m 转换成mA/m，两边取对数，则：
240 - 120 + 20Log10[4π x 10 -7] = 2.0
磁感应强度的单位用高斯 (G) ，它与国际单位制中的特斯拉 (T) 的换算关系是
1T= 10000G
1mT=10G
1μT=0.01G
1nT=0.00001G
1pT=0.00000001G
dBpT 是指相对于1pT(皮特)的分贝数
dBpT = 20 log (G/1pT)
dBG = 160 + dBpT
单位转换
dB = decibels (Log10)
m = milli = 10-3
μ = micro = 10-6
p = pico = 10-12
dBw = 相对于1W 的分贝数
dBm =相对于1mW 的分贝数
dBv =相对于1V 的分贝数
dBμv =相对于1mV 的分贝数
dBμA =相对于1mA 的分贝数
dBpT =相对于1pT 的分贝数
V = 福特
A = 安培
I = 电流
R = 电阻 (50 欧姆)
W = 瓦特
P = 功率
H = 亨利
T = 特斯拉
AF = 天线因子
M = 米 |
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